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IS61NVP25672-200B1I

IS61NVP25672-200B1I
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Numero parte IS61NVP25672-200B1I
LIXINC Part # IS61NVP25672-200B1I
Produttore ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Categoria circuiti integrati › memoria
Descrizione IC SRAM 18MBIT PARALLEL 209LFBGA
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IS61NVP25672-200B1I Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 30 - Nov 03 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IS61NVP25672-200B1I Specifiche

Numero parte:IS61NVP25672-200B1I
Marca:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:circuiti integrati
Sottocategoria:memoria
Produttore:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
serie:-
pacchetto:Tray
stato della parte:Obsolete
tipo di memoria:Volatile
formato di memoria:SRAM
tecnologia:SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria:18Mb (256K x 72)
interfaccia di memoria:Parallel
frequenza di clock:200 MHz
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina:-
tempo di accesso:3.1 ns
tensione - alimentazione:2.375V ~ 2.625V
temperatura di esercizio:-40°C ~ 85°C (TA)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:209-BGA
pacchetto del dispositivo del fornitore:209-LFBGA (14x22)

IS61NVP25672-200B1I Documenti

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