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Numero parte | MT47H512M4THN-25E:M |
LIXINC Part # | MT47H512M4THN-25E:M |
Produttore | Micron Technology |
Categoria | circuiti integrati › memoria |
Descrizione | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 63FBGA |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | MT47H512M4THN-25E:M Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 09 - Oct 13 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | MT47H512M4THN-25E:M |
Marca: | Micron Technology |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | circuiti integrati |
Sottocategoria: | memoria |
Produttore: | Micron Technology |
serie: | - |
pacchetto: | Tray |
stato della parte: | Obsolete |
tipo di memoria: | Volatile |
formato di memoria: | DRAM |
tecnologia: | SDRAM - DDR2 |
Dimensione della memoria: | 2Gb (512M x 4) |
interfaccia di memoria: | Parallel |
frequenza di clock: | 400 MHz |
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina: | 15ns |
tempo di accesso: | 400 ps |
tensione - alimentazione: | 1.7V ~ 1.9V |
temperatura di esercizio: | 0°C ~ 85°C (TC) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto/caso: | 63-TFBGA |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | 63-FBGA (8x10) |
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In magazzino | 10897 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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