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PTAB182002TCV2R250XTMA1

PTAB182002TCV2R250XTMA1
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Numero parte PTAB182002TCV2R250XTMA1
LIXINC Part # PTAB182002TCV2R250XTMA1
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - rf
Descrizione IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD PTAB182002TCV2R250XTMA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 22 - Oct 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

PTAB182002TCV2R250XTMA1 Specifiche

Numero parte:PTAB182002TCV2R250XTMA1
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - rf
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato della parte:Obsolete
tipo a transistor:LDMOS
frequenza:1.805GHz ~ 1.88GHz
guadagno:14.8dB
tensione - prova:28 V
corrente nominale (ampere):10µA
figura di rumore:-
corrente - prova:520 mA
potenza - uscita:29W
tensione - nominale:65 V
pacchetto/caso:H-49248H-4
pacchetto del dispositivo del fornitore:H-49248H-4

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