NGTD13R120F2WP

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Numero parte NGTD13R120F2WP
LIXINC Part # NGTD13R120F2WP
Produttore Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria semiconduttore discretodiodi - raddrizzatori - singoli
Descrizione DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD NGTD13R120F2WP Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

NGTD13R120F2WP Specifiche

Numero parte:NGTD13R120F2WP
Marca:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:diodi - raddrizzatori - singoli
Produttore:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:-
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo diodo:Standard
tensione - dc inversa (vr) (max):1200 V
corrente - media rettificata (io):-
tensione - avanti (vf) (max) @ if:2.6 V @ 25 A
velocità:-
tempo di ripristino inverso (trr):-
corrente - dispersione inversa @ vr:1 µA @ 1200 V
capacità @ vr, f:-
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:Die
pacchetto del dispositivo del fornitore:Die
temperatura di esercizio - giunzione:175°C (Max)

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