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Numero parte | NGTD13R120F2WP |
LIXINC Part # | NGTD13R120F2WP |
Produttore | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Categoria | semiconduttore discreto › diodi - raddrizzatori - singoli |
Descrizione | DIODE GEN PURP 1.2KV DIE |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | NGTD13R120F2WP Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | NGTD13R120F2WP |
Marca: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | diodi - raddrizzatori - singoli |
Produttore: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
serie: | - |
pacchetto: | Bulk |
stato della parte: | Active |
tipo diodo: | Standard |
tensione - dc inversa (vr) (max): | 1200 V |
corrente - media rettificata (io): | - |
tensione - avanti (vf) (max) @ if: | 2.6 V @ 25 A |
velocità: | - |
tempo di ripristino inverso (trr): | - |
corrente - dispersione inversa @ vr: | 1 µA @ 1200 V |
capacità @ vr, f: | - |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto/caso: | Die |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | Die |
temperatura di esercizio - giunzione: | 175°C (Max) |
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In magazzino | 10909 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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