CY14B116N-BA25XI

CY14B116N-BA25XI
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Numero parte CY14B116N-BA25XI
LIXINC Part # CY14B116N-BA25XI
Produttore Rochester Electronics
Categoria circuiti integratimemoria
Descrizione IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 60FBGA
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD CY14B116N-BA25XI Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 24 - Oct 28 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

CY14B116N-BA25XI Specifiche

Numero parte:CY14B116N-BA25XI
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:circuiti integrati
Sottocategoria:memoria
Produttore:Rochester Electronics
serie:-
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo di memoria:Non-Volatile
formato di memoria:NVSRAM
tecnologia:NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Dimensione della memoria:16Mb (1M x 16)
interfaccia di memoria:Parallel
frequenza di clock:-
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina:25ns
tempo di accesso:25 ns
tensione - alimentazione:2.7V ~ 3.6V
temperatura di esercizio:-40°C ~ 85°C (TA)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:60-LFBGA
pacchetto del dispositivo del fornitore:60-FBGA (10x18)

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