IS61WV51216EEBLL-10B2LI

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Numero parte IS61WV51216EEBLL-10B2LI
LIXINC Part # IS61WV51216EEBLL-10B2LI
Produttore ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Categoria circuiti integratimemoria
Descrizione IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IS61WV51216EEBLL-10B2LI Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 19 - Sep 23 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IS61WV51216EEBLL-10B2LI Specifiche

Numero parte:IS61WV51216EEBLL-10B2LI
Marca:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:circuiti integrati
Sottocategoria:memoria
Produttore:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
serie:-
pacchetto:Tray
stato della parte:Active
tipo di memoria:Volatile
formato di memoria:SRAM
tecnologia:SRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria:8Mb (512K x 16)
interfaccia di memoria:Parallel
frequenza di clock:-
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina:10ns
tempo di accesso:10 ns
tensione - alimentazione:2.4V ~ 3.6V
temperatura di esercizio:-40°C ~ 85°C (TA)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:48-TFBGA
pacchetto del dispositivo del fornitore:48-TFBGA (6x8)

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