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Numero parte | MRF8VP13350GNR3 |
LIXINC Part # | MRF8VP13350GNR3 |
Produttore | NXP Semiconductors |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - rf |
Descrizione | TRANS RF LDMOS 350W 50V |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | MRF8VP13350GNR3 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 20 - Oct 24 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | MRF8VP13350GNR3 |
Marca: | NXP Semiconductors |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - rf |
Produttore: | NXP Semiconductors |
serie: | - |
pacchetto: | Tape & Reel (TR) |
stato della parte: | Active |
tipo a transistor: | LDMOS (Dual) |
frequenza: | 1.3GHz |
guadagno: | 19.2dB |
tensione - prova: | 50 V |
corrente nominale (ampere): | - |
figura di rumore: | - |
corrente - prova: | 100 mA |
potenza - uscita: | 350W |
tensione - nominale: | 100 V |
pacchetto/caso: | OM-780G-4L |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | OM-780G-4L |
CGHV59070P | 70W, GAN HEMT, 50V, 5.2-5.9GHZ, | 871 Maggiori informazioni su Ordine |
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IRFAF40 | N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET | 1890 Maggiori informazioni su Ordine |
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2SJ195-TL-E | PCH 4V DRIVE SERIES | 3075 Maggiori informazioni su Ordine |
In magazzino | 10863 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $284.41048 | $284.41048 |
250 | $137.55128 | $34387.82 |
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