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Numero parte | JAN1N3768R |
LIXINC Part # | JAN1N3768R |
Produttore | Roving Networks / Microchip Technology |
Categoria | semiconduttore discreto › diodi - raddrizzatori - singoli |
Descrizione | DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | JAN1N3768R Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 20 - Oct 24 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | JAN1N3768R |
Marca: | Roving Networks / Microchip Technology |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | diodi - raddrizzatori - singoli |
Produttore: | Roving Networks / Microchip Technology |
serie: | Military, MIL-PRF-19500/297 |
pacchetto: | Bulk |
stato della parte: | Active |
tipo diodo: | Standard, Reverse Polarity |
tensione - dc inversa (vr) (max): | 1000 V |
corrente - media rettificata (io): | 35A |
tensione - avanti (vf) (max) @ if: | 1.4 V @ 110 A |
velocità: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
tempo di ripristino inverso (trr): | - |
corrente - dispersione inversa @ vr: | 10 µA @ 1000 V |
capacità @ vr, f: | - |
tipo di montaggio: | Chassis, Stud Mount |
pacchetto/caso: | DO-203AB, DO-5, Stud |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | DO-5 |
temperatura di esercizio - giunzione: | -65°C ~ 175°C |
SIDC14D120H8X1SA1 | DIODE GEN PURP 1.2KV 25A WAFER | 988 Maggiori informazioni su Ordine |
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In magazzino | 10914 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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