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Numero parte | IS43DR86400C-3DBI |
LIXINC Part # | IS43DR86400C-3DBI |
Produttore | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
Categoria | circuiti integrati › memoria |
Descrizione | IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | IS43DR86400C-3DBI Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 06 - Oct 10 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | IS43DR86400C-3DBI |
Marca: | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | circuiti integrati |
Sottocategoria: | memoria |
Produttore: | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
serie: | - |
pacchetto: | Tray |
stato della parte: | Obsolete |
tipo di memoria: | Volatile |
formato di memoria: | DRAM |
tecnologia: | SDRAM - DDR2 |
Dimensione della memoria: | 512Mb (64M x 8) |
interfaccia di memoria: | Parallel |
frequenza di clock: | 333 MHz |
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina: | 15ns |
tempo di accesso: | 450 ps |
tensione - alimentazione: | 1.7V ~ 1.9V |
temperatura di esercizio: | -40°C ~ 85°C (TA) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto/caso: | 60-TFBGA |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | 60-TWBGA (8x10.5) |
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In magazzino | 10934 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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