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Numero parte | IDT71V25761YSA200BQ |
LIXINC Part # | IDT71V25761YSA200BQ |
Produttore | Renesas Electronics America |
Categoria | circuiti integrati › memoria |
Descrizione | IC SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | IDT71V25761YSA200BQ Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 27 - Oct 31 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | IDT71V25761YSA200BQ |
Marca: | Renesas Electronics America |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | circuiti integrati |
Sottocategoria: | memoria |
Produttore: | Renesas Electronics America |
serie: | - |
pacchetto: | Tray |
stato della parte: | Obsolete |
tipo di memoria: | Volatile |
formato di memoria: | SRAM |
tecnologia: | SRAM - Synchronous, SDR |
Dimensione della memoria: | 4.5Mb (128K x 36) |
interfaccia di memoria: | Parallel |
frequenza di clock: | 200 MHz |
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina: | - |
tempo di accesso: | 5 ns |
tensione - alimentazione: | 3.135V ~ 3.465V |
temperatura di esercizio: | 0°C ~ 70°C (TA) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto/caso: | 165-TBGA |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | 165-CABGA (13x15) |
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In magazzino | 10919 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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