IS61NVP51236B-200B3I

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Numero parte IS61NVP51236B-200B3I
LIXINC Part # IS61NVP51236B-200B3I
Produttore ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Categoria circuiti integratimemoria
Descrizione IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IS61NVP51236B-200B3I Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 27 - Oct 31 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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IS61NVP51236B-200B3I Specifiche

Numero parte:IS61NVP51236B-200B3I
Marca:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:circuiti integrati
Sottocategoria:memoria
Produttore:ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
serie:-
pacchetto:Tray
stato della parte:Obsolete
tipo di memoria:Volatile
formato di memoria:SRAM
tecnologia:SRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria:18Mb (512K x 36)
interfaccia di memoria:Parallel
frequenza di clock:200 MHz
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina:-
tempo di accesso:3 ns
tensione - alimentazione:2.375V ~ 2.625V
temperatura di esercizio:-40°C ~ 85°C (TA)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:165-TBGA
pacchetto del dispositivo del fornitore:165-TFBGA (13x15)

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