CYDD09S36V18-200BBXC

CYDD09S36V18-200BBXC
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Numero parte CYDD09S36V18-200BBXC
LIXINC Part # CYDD09S36V18-200BBXC
Produttore Cypress Semiconductor
Categoria circuiti integratimemoria
Descrizione IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD CYDD09S36V18-200BBXC Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 21 - Oct 25 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

CYDD09S36V18-200BBXC Specifiche

Numero parte:CYDD09S36V18-200BBXC
Marca:Cypress Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:circuiti integrati
Sottocategoria:memoria
Produttore:Cypress Semiconductor
serie:-
pacchetto:Tray
stato della parte:Obsolete
tipo di memoria:Volatile
formato di memoria:SRAM
tecnologia:SRAM - Dual Port, Synchronous
Dimensione della memoria:9Mb (128K x 36 x 2)
interfaccia di memoria:Parallel
frequenza di clock:200 MHz
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina:-
tempo di accesso:500 ps
tensione - alimentazione:1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
temperatura di esercizio:0°C ~ 70°C (TA)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:256-LBGA
pacchetto del dispositivo del fornitore:256-FBGA (17x17)

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