MB85R256FPF-G-BNDE1

MB85R256FPF-G-BNDE1
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Numero parte MB85R256FPF-G-BNDE1
LIXINC Part # MB85R256FPF-G-BNDE1
Produttore Fujitsu Electronics America, Inc.
Categoria circuiti integratimemoria
Descrizione IC FRAM 256KBIT PARALLEL 28SOP
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD MB85R256FPF-G-BNDE1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 24 - Oct 28 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

MB85R256FPF-G-BNDE1 Specifiche

Numero parte:MB85R256FPF-G-BNDE1
Marca:Fujitsu Electronics America, Inc.
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:circuiti integrati
Sottocategoria:memoria
Produttore:Fujitsu Electronics America, Inc.
serie:-
pacchetto:Tray
stato della parte:Obsolete
tipo di memoria:Non-Volatile
formato di memoria:FRAM
tecnologia:FRAM (Ferroelectric RAM)
Dimensione della memoria:256Kb (32K x 8)
interfaccia di memoria:Parallel
frequenza di clock:-
scrivere tempo di ciclo - parola, pagina:150ns
tempo di accesso:150 ns
tensione - alimentazione:2.7V ~ 3.6V
temperatura di esercizio:-40°C ~ 85°C (TA)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)
pacchetto del dispositivo del fornitore:28-SOP

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