MG1275S-BA1MM

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Numero parte MG1275S-BA1MM
LIXINC Part # MG1275S-BA1MM
Produttore Wickmann / Littelfuse
Categoria semiconduttore discretotransistor - igbt - moduli
Descrizione IGBT MODULE 1200V 105A 630W S3
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD MG1275S-BA1MM Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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MG1275S-BA1MM Specifiche

Numero parte:MG1275S-BA1MM
Marca:Wickmann / Littelfuse
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - igbt - moduli
Produttore:Wickmann / Littelfuse
serie:-
pacchetto:Bulk
stato della parte:Obsolete
tipo igbt:-
configurazione:Half Bridge
tensione - guasto collettore emettitore (max):1200 V
corrente - collettore (ic) (max):105 A
potenza - max:630 W
vce(on) (max) @ vge, ic:1.8V @ 15V, 75A (Typ)
corrente - taglio collettore (max):500 µA
capacità di ingresso (cies) @ vce:5.52 nF @ 25 V
ingresso:Standard
termistore ntc:No
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Chassis Mount
pacchetto/caso:S-3 Module
pacchetto del dispositivo del fornitore:S3

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