VS-GB75LA60UF

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Numero parte VS-GB75LA60UF
LIXINC Part # VS-GB75LA60UF
Produttore Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Categoria semiconduttore discretotransistor - igbt - moduli
Descrizione IGBT MOD 600V 109A 447W SOT227
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD VS-GB75LA60UF Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
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VS-GB75LA60UF Specifiche

Numero parte:VS-GB75LA60UF
Marca:Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - igbt - moduli
Produttore:Vishay General Semiconductor – Diodes Division
serie:-
pacchetto:Tube
stato della parte:Obsolete
tipo igbt:NPT
configurazione:Single
tensione - guasto collettore emettitore (max):600 V
corrente - collettore (ic) (max):109 A
potenza - max:447 W
vce(on) (max) @ vge, ic:2V @ 15V, 35A
corrente - taglio collettore (max):50 µA
capacità di ingresso (cies) @ vce:-
ingresso:Standard
termistore ntc:No
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Chassis Mount
pacchetto/caso:SOT-227-4, miniBLOC
pacchetto del dispositivo del fornitore:SOT-227

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