FS200R07A1E3BOSA1

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Numero parte FS200R07A1E3BOSA1
LIXINC Part # FS200R07A1E3BOSA1
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - igbt - moduli
Descrizione IGBT MOD 650V 250A 790W
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD FS200R07A1E3BOSA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
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FS200R07A1E3BOSA1 Specifiche

Numero parte:FS200R07A1E3BOSA1
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - igbt - moduli
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:-
pacchetto:Tray
stato della parte:Obsolete
tipo igbt:-
configurazione:Three Phase Inverter
tensione - guasto collettore emettitore (max):650 V
corrente - collettore (ic) (max):250 A
potenza - max:790 W
vce(on) (max) @ vge, ic:1.9V @ 15V, 200A
corrente - taglio collettore (max):1 mA
capacità di ingresso (cies) @ vce:13 nF @ 25 V
ingresso:Standard
termistore ntc:Yes
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Chassis Mount
pacchetto/caso:Module
pacchetto del dispositivo del fornitore:Module

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