APTGFQ25H120T2G

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Numero parte APTGFQ25H120T2G
LIXINC Part # APTGFQ25H120T2G
Produttore Microsemi
Categoria semiconduttore discretotransistor - igbt - moduli
Descrizione IGBT MODULE 1200V 40A 227W SP2
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD APTGFQ25H120T2G Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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APTGFQ25H120T2G Specifiche

Numero parte:APTGFQ25H120T2G
Marca:Microsemi
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - igbt - moduli
Produttore:Microsemi
serie:-
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo igbt:NPT and Fieldstop
configurazione:Full Bridge
tensione - guasto collettore emettitore (max):1200 V
corrente - collettore (ic) (max):40 A
potenza - max:227 W
vce(on) (max) @ vge, ic:2.1V @ 15V, 25A
corrente - taglio collettore (max):250 µA
capacità di ingresso (cies) @ vce:2.02 nF @ 25 V
ingresso:Standard
termistore ntc:Yes
temperatura di esercizio:-
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto/caso:SP2
pacchetto del dispositivo del fornitore:SP2

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