VS-GB70NA60UF | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-GB70NA60UF

VS-GB70NA60UF

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Numero parte	VS-GB70NA60UF
LIXINC Part #	VS-GB70NA60UF
Produttore	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - igbt - moduli
Descrizione	IGBT MOD 600V 111A 447W SOT227
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	VS-GB70NA60UF Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

VS-GB70NA60UF Specifiche

Numero parte:	VS-GB70NA60UF
Marca:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - igbt - moduli
Produttore:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
serie:	-
pacchetto:	Bulk
stato della parte:	Obsolete
tipo igbt:	NPT
configurazione:	Single
tensione - guasto collettore emettitore (max):	600 V
corrente - collettore (ic) (max):	111 A
potenza - max:	447 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.44V @ 15V, 70A
corrente - taglio collettore (max):	100 µA
capacità di ingresso (cies) @ vce:	-
ingresso:	Standard
termistore ntc:	No
temperatura di esercizio:	-40°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Chassis Mount
pacchetto/caso:	SOT-227-4, miniBLOC
pacchetto del dispositivo del fornitore:	SOT-227

CM200DY-12H	IGBT MOD 600V 200A 780W	957 Maggiori informazioni su Ordine
CM400DY-12NF	IGBT MOD 600V 400A 1130W	941 Maggiori informazioni su Ordine
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VS-GP250SA60S	IGBT MOD 600V 380A 893W SOT227	883 Maggiori informazioni su Ordine
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VS-CPV363M4KPBF	IGBT MODULE 600V 11A 36W IMS-2	814 Maggiori informazioni su Ordine
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APTGF50TL60T3G	IGBT MODULE 600V 65A 250W SP3	906 Maggiori informazioni su Ordine