FDMS3660S-F121

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Numero parte FDMS3660S-F121
LIXINC Part # FDMS3660S-F121
Produttore Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - array
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD FDMS3660S-F121 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 26 - Sep 30 2024(Scegli spedizione rapida)
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FDMS3660S-F121 Specifiche

Numero parte:FDMS3660S-F121
Marca:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - array
Produttore:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:PowerTrench®
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
caratteristica del feto:Logic Level Gate
tensione drain-source (vdss):30V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:13A, 30A
rds su (max) @ id, vgs:8mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2.7V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:29nC @ 10V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1765pF @ 15V
potenza - max:1W
temperatura di esercizio:-
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:8-PowerTDFN
pacchetto del dispositivo del fornitore:Power56

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