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Numero parte | TPC8211(TE12L,Q,M) |
LIXINC Part # | TPC8211(TE12L,Q,M) |
Produttore | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - array |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 30V 5.5A SOP8 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | TPC8211(TE12L,Q,M) Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 25 - Sep 29 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | TPC8211(TE12L,Q,M) |
Marca: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - array |
Produttore: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
serie: | - |
pacchetto: | Tape & Reel (TR) |
stato della parte: | Obsolete |
tipo di feto: | 2 N-Channel (Dual) |
caratteristica del feto: | Logic Level Gate |
tensione drain-source (vdss): | 30V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 5.5A |
rds su (max) @ id, vgs: | 36mOhm @ 3A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 2.5V @ 1mA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 25nC @ 10V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 1250pF @ 10V |
potenza - max: | 450mW |
temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto/caso: | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | 8-SOP (5.5x6.0) |
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In magazzino | 10963 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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