EPC2101ENGRT

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Numero parte EPC2101ENGRT
LIXINC Part # EPC2101ENGRT
Produttore EPC
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - array
Descrizione GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD EPC2101ENGRT Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 25 - Sep 29 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

EPC2101ENGRT Specifiche

Numero parte:EPC2101ENGRT
Marca:EPC
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - array
Produttore:EPC
serie:*
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Discontinued at Digi-Key
tipo di feto:2 N-Channel (Half Bridge)
caratteristica del feto:GaNFET (Gallium Nitride)
tensione drain-source (vdss):60V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:9.5A, 38A
rds su (max) @ id, vgs:11.5mOhm @ 20A, 5V
vgs(th) (massimo) @ id:2.5V @ 2mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:2.7nC @ 5V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:300pF @ 30V
potenza - max:-
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto/caso:Die
pacchetto del dispositivo del fornitore:Die

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