1N4448,113

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Numero parte 1N4448,113
LIXINC Part # 1N4448,113
Produttore NXP Semiconductors
Categoria semiconduttore discretodiodi - raddrizzatori - singoli
Descrizione DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD 1N4448,113 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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1N4448,113 Specifiche

Numero parte:1N4448,113
Marca:NXP Semiconductors
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:diodi - raddrizzatori - singoli
Produttore:NXP Semiconductors
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Obsolete
tipo diodo:Standard
tensione - dc inversa (vr) (max):100 V
corrente - media rettificata (io):200mA (DC)
tensione - avanti (vf) (max) @ if:1 V @ 100 mA
velocità:Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
tempo di ripristino inverso (trr):4 ns
corrente - dispersione inversa @ vr:25 nA @ 20 V
capacità @ vr, f:4pF @ 0V, 1MHz
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto/caso:DO-204AH, DO-35, Axial
pacchetto del dispositivo del fornitore:ALF2
temperatura di esercizio - giunzione:200°C (Max)

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