1N5407GHB0G

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Numero parte 1N5407GHB0G
LIXINC Part # 1N5407GHB0G
Produttore TSC (Taiwan Semiconductor)
Categoria semiconduttore discretodiodi - raddrizzatori - singoli
Descrizione DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD 1N5407GHB0G Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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1N5407GHB0G Specifiche

Numero parte:1N5407GHB0G
Marca:TSC (Taiwan Semiconductor)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:diodi - raddrizzatori - singoli
Produttore:TSC (Taiwan Semiconductor)
serie:Automotive, AEC-Q101
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo diodo:Standard
tensione - dc inversa (vr) (max):800 V
corrente - media rettificata (io):3A
tensione - avanti (vf) (max) @ if:1 V @ 3 A
velocità:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
tempo di ripristino inverso (trr):-
corrente - dispersione inversa @ vr:5 µA @ 800 V
capacità @ vr, f:25pF @ 4V, 1MHz
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto/caso:DO-201AD, Axial
pacchetto del dispositivo del fornitore:DO-201AD
temperatura di esercizio - giunzione:-55°C ~ 150°C

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