SI5858DU-T1-E3

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Numero parte SI5858DU-T1-E3
LIXINC Part # SI5858DU-T1-E3
Produttore Vishay / Siliconix
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD SI5858DU-T1-E3 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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SI5858DU-T1-E3 Specifiche

Numero parte:SI5858DU-T1-E3
Marca:Vishay / Siliconix
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Vishay / Siliconix
serie:LITTLE FOOT®
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):20 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:6A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):1.8V, 4.5V
rds su (max) @ id, vgs:39mOhm @ 4.4A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:1V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:16 nC @ 8 V
vgs (massimo):±8V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:520 pF @ 10 V
caratteristica del feto:Schottky Diode (Isolated)
dissipazione di potenza (max):2.3W (Ta), 8.3W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:PowerPAK® ChipFet Dual
pacchetto/caso:PowerPAK® ChipFET™ Dual

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