TPC8111(TE12L,Q,M)

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Numero parte TPC8111(TE12L,Q,M)
LIXINC Part # TPC8111(TE12L,Q,M)
Produttore Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD TPC8111(TE12L,Q,M) Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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TPC8111(TE12L,Q,M) Specifiche

Numero parte:TPC8111(TE12L,Q,M)
Marca:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:P-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:11A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:12mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:107 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:5710 pF @ 10 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):1W (Ta)
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:8-SOP (5.5x6.0)
pacchetto/caso:8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

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