FQA8N80C_F109

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Numero parte FQA8N80C_F109
LIXINC Part # FQA8N80C_F109
Produttore Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 800V 8.4A TO3P
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD FQA8N80C_F109 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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FQA8N80C_F109 Specifiche

Numero parte:FQA8N80C_F109
Marca:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:QFET®
pacchetto:Tube
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):800 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:8.4A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:1.55Ohm @ 4.2A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:45 nC @ 10 V
vgs (massimo):±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2050 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):220W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-3P
pacchetto/caso:TO-3P-3, SC-65-3

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