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2SK1339-E

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Numero parte	2SK1339-E
LIXINC Part #	2SK1339-E
Produttore	Renesas Electronics America
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 900V 3A TO3P
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	2SK1339-E Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

2SK1339-E Specifiche

Numero parte:	2SK1339-E
Marca:	Renesas Electronics America
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Renesas Electronics America
serie:	-
pacchetto:	Tube
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	900 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	3A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	7Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	-
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (massimo):	±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	425 pF @ 10 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	80W (Tc)
temperatura di esercizio:	150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:	TO-3P
pacchetto/caso:	TO-3P-3, SC-65-3

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