SI3812DV-T1-E3

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Numero parte SI3812DV-T1-E3
LIXINC Part # SI3812DV-T1-E3
Produttore Vishay / Siliconix
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 20V 2A 6TSOP
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD SI3812DV-T1-E3 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 10 - Oct 14 2024(Scegli spedizione rapida)
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SI3812DV-T1-E3 Specifiche

Numero parte:SI3812DV-T1-E3
Marca:Vishay / Siliconix
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Vishay / Siliconix
serie:LITTLE FOOT®
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):20 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:2A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):2.5V, 4.5V
rds su (max) @ id, vgs:125mOhm @ 2.4A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:600mV @ 250µA (Min)
carica di gate (qg) (max) @ vgs:4 nC @ 4.5 V
vgs (massimo):±12V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:-
caratteristica del feto:Schottky Diode (Isolated)
dissipazione di potenza (max):830mW (Ta)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:6-TSOP
pacchetto/caso:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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