IRLW610ATM

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Numero parte IRLW610ATM
LIXINC Part # IRLW610ATM
Produttore Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IRLW610ATM Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 09 - Oct 13 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IRLW610ATM Specifiche

Numero parte:IRLW610ATM
Marca:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):200 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:3.3A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):5V
rds su (max) @ id, vgs:1.5Ohm @ 1.65A, 5V
vgs(th) (massimo) @ id:2V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:9 nC @ 5 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:240 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):3.1W (Ta), 33W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:I2PAK (TO-262)
pacchetto/caso:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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