IRF7523D1TRPBF | IR (Infineon Technologies) IRF7523D1TRPBF | IRF7523D1TRPBF Inventory, Best Pricing

IRF7523D1TRPBF

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Numero parte	IRF7523D1TRPBF
LIXINC Part #	IRF7523D1TRPBF
Produttore	IR (Infineon Technologies)
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	IRF7523D1TRPBF Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 09 - Oct 13 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

IRF7523D1TRPBF Specifiche

Numero parte:	IRF7523D1TRPBF
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	IR (Infineon Technologies)
serie:	FETKY™
pacchetto:	Tape & Reel (TR)
stato della parte:	Obsolete
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	2.7A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	130mOhm @ 1.7A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	1V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	12 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	210 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	Schottky Diode (Isolated)
dissipazione di potenza (max):	1.25W (Ta)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	Micro8™
pacchetto/caso:	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

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