IPB12CNE8N G

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Numero parte IPB12CNE8N G
LIXINC Part # IPB12CNE8N G
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 85V 67A D2PAK
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IPB12CNE8N G Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 08 - Oct 12 2024(Scegli spedizione rapida)
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IPB12CNE8N G Specifiche

Numero parte:IPB12CNE8N G
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:OptiMOS™
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):85 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:67A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:12.9mOhm @ 67A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 83µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:64 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:4340 pF @ 40 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):125W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:D²PAK (TO-263AB)
pacchetto/caso:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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