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Numero parte | RJK1002DPN-E0#T2 |
LIXINC Part # | RJK1002DPN-E0#T2 |
Produttore | Renesas Electronics America |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 70A TO220AB |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | RJK1002DPN-E0#T2 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | RJK1002DPN-E0#T2 |
Marca: | Renesas Electronics America |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Renesas Electronics America |
serie: | - |
pacchetto: | Tube |
stato della parte: | Obsolete |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 100 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 70A (Ta) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 7.6mOhm @ 35A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | - |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 94 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 6450 pF @ 10 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 150W (Tc) |
temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Through Hole |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | TO-220AB |
pacchetto/caso: | TO-220-3 |
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STFILED627 | MOSFET N-CH 620V 7A I2PAKFP | 974 Maggiori informazioni su Ordine |
In magazzino | 10811 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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