RSS110N03FU6TB

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Numero parte RSS110N03FU6TB
LIXINC Part # RSS110N03FU6TB
Produttore ROHM Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 30V 11A 8SOP
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD RSS110N03FU6TB Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
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RSS110N03FU6TB Specifiche

Numero parte:RSS110N03FU6TB
Marca:ROHM Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:ROHM Semiconductor
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:11A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:10.7mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2.5V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:17 nC @ 5 V
vgs (massimo):20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1300 pF @ 10 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):2W (Ta)
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:8-SOP
pacchetto/caso:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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