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Numero parte | SI6473DQ-T1-E3 |
LIXINC Part # | SI6473DQ-T1-E3 |
Produttore | Vishay / Siliconix |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET P-CH 20V 6.2A 8TSSOP |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | SI6473DQ-T1-E3 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 27 - Oct 01 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | SI6473DQ-T1-E3 |
Marca: | Vishay / Siliconix |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Vishay / Siliconix |
serie: | TrenchFET® |
pacchetto: | Tape & Reel (TR) |
stato della parte: | Obsolete |
tipo di feto: | P-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 20 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 6.2A (Ta) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 1.8V, 4.5V |
rds su (max) @ id, vgs: | 12.5mOhm @ 9.5A, 4.5V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 450mV @ 250µA (Min) |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 70 nC @ 5 V |
vgs (massimo): | ±8V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | - |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 1.08W (Ta) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | 8-TSSOP |
pacchetto/caso: | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
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AOK8N80L | MOSFET N-CH 800V 7.4A TO247 | 906 Maggiori informazioni su Ordine |
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IRL3715ZSTRL | MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK | 823 Maggiori informazioni su Ordine |
In magazzino | 10951 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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