NVMFS6B14NLWFT1G

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Numero parte NVMFS6B14NLWFT1G
LIXINC Part # NVMFS6B14NLWFT1G
Produttore Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 100V 11A/55A 5DFN
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD NVMFS6B14NLWFT1G Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 27 - Oct 01 2024(Scegli spedizione rapida)
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NVMFS6B14NLWFT1G Specifiche

Numero parte:NVMFS6B14NLWFT1G
Marca:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:Automotive, AEC-Q101
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):100 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:11A (Ta), 55A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:13mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:3V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:8 nC @ 4.5 V
vgs (massimo):±16V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1680 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):3.8W (Ta), 94W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
pacchetto/caso:8-PowerTDFN

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