IRFN214BTA_FP001

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Numero parte IRFN214BTA_FP001
LIXINC Part # IRFN214BTA_FP001
Produttore Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 250V 600MA TO92-3
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IRFN214BTA_FP001 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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IRFN214BTA_FP001 Specifiche

Numero parte:IRFN214BTA_FP001
Marca:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:-
pacchetto:Tape & Box (TB)
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):250 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:600mA (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:2Ohm @ 300mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:10.5 nC @ 10 V
vgs (massimo):±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:275 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):1.8W (Ta)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-92-3
pacchetto/caso:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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