PHU108NQ03LT,127

PHU108NQ03LT,127
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Numero parte PHU108NQ03LT,127
LIXINC Part # PHU108NQ03LT,127
Produttore NXP Semiconductors
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 25V 75A IPAK
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD PHU108NQ03LT,127 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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PHU108NQ03LT,127 Specifiche

Numero parte:PHU108NQ03LT,127
Marca:NXP Semiconductors
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:NXP Semiconductors
serie:TrenchMOS™
pacchetto:Tube
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):25 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:75A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:6mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:16.3 nC @ 4.5 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1375 pF @ 12 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):187W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:I-PAK
pacchetto/caso:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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