RJK0601DPN-E0#T2

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Numero parte RJK0601DPN-E0#T2
LIXINC Part # RJK0601DPN-E0#T2
Produttore Renesas Electronics America
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 60V 110A TO220AB
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD RJK0601DPN-E0#T2 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 26 - Sep 30 2024(Scegli spedizione rapida)
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RJK0601DPN-E0#T2 Specifiche

Numero parte:RJK0601DPN-E0#T2
Marca:Renesas Electronics America
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Renesas Electronics America
serie:-
pacchetto:Tube
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:110A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:3.1mOhm @ 55A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:-
carica di gate (qg) (max) @ vgs:141 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:10000 pF @ 10 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):200W (Tc)
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-220AB
pacchetto/caso:TO-220-3

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