IRFU120ZPBF

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Numero parte IRFU120ZPBF
LIXINC Part # IRFU120ZPBF
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 100V 8.7A IPAK
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IRFU120ZPBF Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 25 - Sep 29 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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IRFU120ZPBF Specifiche

Numero parte:IRFU120ZPBF
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:HEXFET®
pacchetto:Tube
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):100 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:8.7A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:190mOhm @ 5.2A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:10 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:310 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):35W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:IPAK (TO-251)
pacchetto/caso:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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