FDB3860

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Numero parte FDB3860
LIXINC Part # FDB3860
Produttore Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 100V 6.4A/30A TO263
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD FDB3860 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FDB3860 Specifiche

Numero parte:FDB3860
Marca:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:PowerTrench®
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):100 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:6.4A (Ta), 30A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:37mOhm @ 5.9A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4.5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:30 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1740 pF @ 50 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):3.1W (Ta), 71W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-263AB
pacchetto/caso:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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