PHD18NQ10T,118

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Numero parte PHD18NQ10T,118
LIXINC Part # PHD18NQ10T,118
Produttore NXP Semiconductors
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD PHD18NQ10T,118 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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PHD18NQ10T,118 Specifiche

Numero parte:PHD18NQ10T,118
Marca:NXP Semiconductors
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:NXP Semiconductors
serie:TrenchMOS™
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):100 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:18A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:90mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:21 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:633 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):79W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:DPAK
pacchetto/caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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