NTHS2101PT1G

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Numero parte NTHS2101PT1G
LIXINC Part # NTHS2101PT1G
Produttore Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD NTHS2101PT1G Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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NTHS2101PT1G Specifiche

Numero parte:NTHS2101PT1G
Marca:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:P-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):8 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:5.4A (Tj)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):1.8V, 4.5V
rds su (max) @ id, vgs:25mOhm @ 5.4A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:1.5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:30 nC @ 4.5 V
vgs (massimo):±8V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2400 pF @ 6.4 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):1.3W (Ta)
temperatura di esercizio:-
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:ChipFET™
pacchetto/caso:8-SMD, Flat Lead

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