SIR808DP-T1-GE3

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Numero parte SIR808DP-T1-GE3
LIXINC Part # SIR808DP-T1-GE3
Produttore Vishay / Siliconix
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD SIR808DP-T1-GE3 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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SIR808DP-T1-GE3 Specifiche

Numero parte:SIR808DP-T1-GE3
Marca:Vishay / Siliconix
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Vishay / Siliconix
serie:TrenchFET®
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):25 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:20A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:8.9mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2.5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:22.8 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:815 pF @ 12.5 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):29.8W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:PowerPAK® SO-8
pacchetto/caso:PowerPAK® SO-8

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