Solo per riferimento
Numero parte | IRLR2905TRR |
LIXINC Part # | IRLR2905TRR |
Produttore | IR (Infineon Technologies) |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | IRLR2905TRR Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 20 - Sep 24 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | IRLR2905TRR |
Marca: | IR (Infineon Technologies) |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | IR (Infineon Technologies) |
serie: | HEXFET® |
pacchetto: | Tape & Reel (TR) |
stato della parte: | Obsolete |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 55 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 42A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 4V, 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 27mOhm @ 25A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 2V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 48 nC @ 5 V |
vgs (massimo): | ±16V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 1700 pF @ 25 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 110W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | D-Pak |
pacchetto/caso: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
IRFS17N20DTRL | MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK | 862 Maggiori informazioni su Ordine |
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SIR888DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8 | 957 Maggiori informazioni su Ordine |
In magazzino | 10926 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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