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Numero parte | IRL1004L |
LIXINC Part # | IRL1004L |
Produttore | IR (Infineon Technologies) |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 40V 130A TO262 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | IRL1004L Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | IRL1004L |
Marca: | IR (Infineon Technologies) |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | IR (Infineon Technologies) |
serie: | HEXFET® |
pacchetto: | Tube |
stato della parte: | Obsolete |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 40 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 130A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 4.5V, 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 6.5mOhm @ 78A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 1V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 100 nC @ 4.5 V |
vgs (massimo): | ±16V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 5330 pF @ 25 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 3.8W (Ta), 200W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Through Hole |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | TO-262 |
pacchetto/caso: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
STD10PF06T4 | MOSFET P-CH 60V 10A DPAK | 880 Maggiori informazioni su Ordine |
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TSM6N60CH C5G | MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO251 | 908 Maggiori informazioni su Ordine |
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SI1413EDH-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 2.3A SC70-6 | 971 Maggiori informazioni su Ordine |
In magazzino | 10976 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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