IRF8327STR1PBF | IR (Infineon Technologies) IRF8327STR1PBF | IRF8327STR1PBF Inventory, Best Pricing

IRF8327STR1PBF

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Numero parte	IRF8327STR1PBF
LIXINC Part #	IRF8327STR1PBF
Produttore	IR (Infineon Technologies)
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	IRF8327STR1PBF Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

IRF8327STR1PBF Specifiche

Numero parte:	IRF8327STR1PBF
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	IR (Infineon Technologies)
serie:	-
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Obsolete
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	14A (Ta), 60A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	7.3mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	2.4V @ 25µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	14 nC @ 4.5 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	1430 pF @ 15 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	2.2W (Ta), 42W (Tc)
temperatura di esercizio:	-40°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	DIRECTFET™ SQ
pacchetto/caso:	DirectFET™ Isometric SQ

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