IRLW630ATM | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor IRLW630ATM

IRLW630ATM

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Numero parte	IRLW630ATM
LIXINC Part #	IRLW630ATM
Produttore	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 9A I2PAK
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	IRLW630ATM Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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Spedizione

IRLW630ATM Specifiche

Numero parte:	IRLW630ATM
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	-
pacchetto:	Tape & Reel (TR)
stato della parte:	Obsolete
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	200 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	9A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	5V
rds su (max) @ id, vgs:	400mOhm @ 4.5A, 5V
vgs(th) (massimo) @ id:	2V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	27 nC @ 5 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	755 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	3.1W (Ta), 69W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:	I2PAK (TO-262)
pacchetto/caso:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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