TPCC8005-H(TE12LQM

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Numero parte TPCC8005-H(TE12LQM
LIXINC Part # TPCC8005-H(TE12LQM
Produttore Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 30V 26A 8TSON
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD TPCC8005-H(TE12LQM Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
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TPCC8005-H(TE12LQM Specifiche

Numero parte:TPCC8005-H(TE12LQM
Marca:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:U-MOSVI-H
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:26A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:6.4mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2.3V @ 500µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:35 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2900 pF @ 10 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):700mW (Ta), 30W (Tc)
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:8-TSON Advance (3.3x3.3)
pacchetto/caso:8-PowerVDFN

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