SPA03N60C3XKSA1 | IR (Infineon Technologies) SPA03N60C3XKSA1 | SPA03N60C3XKSA1 Inventory, Best Pricing

SPA03N60C3XKSA1

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Numero parte	SPA03N60C3XKSA1
LIXINC Part #	SPA03N60C3XKSA1
Produttore	IR (Infineon Technologies)
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 3.2A TO220-FP
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	SPA03N60C3XKSA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

SPA03N60C3XKSA1 Specifiche

Numero parte:	SPA03N60C3XKSA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	IR (Infineon Technologies)
serie:	CoolMOS™
pacchetto:	Tube
stato della parte:	Obsolete
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	650 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	3.2A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	1.4Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	3.9V @ 135µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	17 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	400 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	29.7W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:	PG-TO220-FP
pacchetto/caso:	TO-220-3 Full Pack

AO4447A_102	MOSFET P-CH 30V 18.5A 8SOIC	891 Maggiori informazioni su Ordine
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STL220N3LLH7	MOSFET N-CH 30V 220A POWERFLAT	1000 Maggiori informazioni su Ordine
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BSS159NL6906HTSA1	MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3	816 Maggiori informazioni su Ordine
STD3NK60ZD	MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK	895 Maggiori informazioni su Ordine
STS9P3LLH6	MOSFET P-CH 30V 9A 8SO	943 Maggiori informazioni su Ordine
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AON6514_102	MOSFET N-CH 30V 23A/30A 8DFN	983 Maggiori informazioni su Ordine