IRF6621TR1PBF

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Numero parte IRF6621TR1PBF
LIXINC Part # IRF6621TR1PBF
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IRF6621TR1PBF Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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IRF6621TR1PBF Specifiche

Numero parte:IRF6621TR1PBF
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:HEXFET®
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:12A (Ta), 55A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:9.1mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2.25V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:17.5 nC @ 4.5 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1460 pF @ 15 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):2.2W (Ta), 42W (Tc)
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:DIRECTFET™ SQ
pacchetto/caso:DirectFET™ Isometric SQ

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